電晶體有哪些特性

2021-07-09 18:45:57 字數 2859 閱讀 3679

1樓:贛南臍橙

一、電晶體的種類 電晶體有多種分類方法。 (一)按半導體材料和極性分類 按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺npn型電晶體、鍺pnp電晶體、矽npn型電晶體和矽pnp型電晶體。

(二)按結構及製造工藝分類 電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。 (三)按電流容量分類 電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。 (四)按工作頻率分類 電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。

(五)按封裝結構分類 電晶體按封裝結構可分為金屬封裝(簡稱金封)電晶體、塑料封裝(簡稱塑封)電晶體、玻璃殼封裝(簡稱玻封)電晶體、表面封裝(片狀)電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。 (六)按功能和用途分類 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電晶體和磁敏電晶體等多種型別。

二、電晶體的主要引數 電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 (一)電流放大係數 電流放大係數也稱電流放大倍數,用來表示電晶體放大能力。 根據電晶體工作狀態的不同,電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。

1.直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數,是指在靜態無變化訊號輸入時,電晶體集電極電流ic與基極電流ib的比值,一般用hfe或β表示。 2.交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數,是指在交流狀態下,電晶體集電極電流變化量△ic與基極電流變化量△ib的比值,一般用hfe或β表示。 hfe或β既有區別又關係密切,兩個引數值在低頻時較接近,在高頻時有一些差異。

(二)耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率pcm,是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。 耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時,其實際功耗不允許超過pcm值,否則會造成電晶體因過載而損壞。

通常將耗散功率pcm小於1w的電晶體稱為小功率電晶體,pcm等於或大於1w、小於5w的電晶體被稱為中功率電晶體,將pcm等於或大於5w的電晶體稱為大功率電晶體。 (三)頻率特性 電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍,則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。

電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率ft和最高振盪頻率fm等。 1.特徵頻率ft 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時,其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。

通常將特徵頻率ft小於或等於3mhz的電晶體稱為低頻管,將ft大於或等於30mhz的電晶體稱為高頻管,將ft大於3mhz、小於30mhz的電晶體稱為中頻管。 2.最高振盪頻率fm 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常,高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα,而特徵頻率ft則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。

(四)集電極最大電流icm 集電極最大電流是指電晶體集電極所允許通過的最大電流。當電晶體的集電極電流ic超過icm時,電晶體的β值等引數將發生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會損壞。 (五)最大反向電壓 最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。

它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。 1.集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時,其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓,一般用vceo或bvceo表示。 2.集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時,其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用vcbo或bvcbo表示。

3.發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時,其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓,用vebo或bvebo表示。 (六)反向電流 電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流icbo和集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo。 1.集電極—基極之間的反向電流icbo icbo也稱集電結反向漏電電流,是指當電晶體的發射極開路時,集電極與基極之間的反向電流。

icbo對溫度較敏感,該值越小,說明電晶體的溫度特性越好。 2.集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo iceo是指當電晶體的基極開路時,其集電極與發射極之間的反向漏電電流,也稱穿透電流。此電流值越小,說明電晶體的效能越好。

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電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍,則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。   電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率ft和最高振盪頻率fm等。

  1、特徵頻率ft 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時,其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。   通常將特徵頻率ft小於或等於3mhz的電晶體稱為低頻管,將ft大於或等於30mhz的電晶體稱為高頻管,將ft大於3mhz、小於30mhz的電晶體稱為中頻管。

2、最高振盪頻率fm 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。   通常,高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα,而特徵頻率ft則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ

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電晶體能放大微弱的電子訊號;它廉價、耐久、耗能少,而且在科技高速發展的今天它幾乎能夠被製成無限小。

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耐壓ceo/cbo、功率、β、頻率、npn/pnp/高頻、低頻...

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電晶體的主要特性是具有。

a.單向導電性

b.濾波作用

c.穩壓作用

d.電流放大作用

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