1樓：朱哥講電子
場效電晶體是如何分類的。
場效應電晶體的分類？
2樓：匿名使用者
場效電晶體工作原理（1） 場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）一、場效電晶體的分類 場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（
3樓：
場效電晶體分結型、絕緣柵型(mos)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體，而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。場效電晶體分為結型場效電晶體（jfet）和絕緣柵場效電晶體（mos管）。
詳細情況請見
場效電晶體有哪幾種型別並畫出其圖形符號？
4樓：匿名使用者
簡單的說，場效電晶體包括結型和絕緣柵型兩類，絕緣柵型又包括耗盡型和增強型兩種。
場效電晶體分為幾種？
5樓：匿名使用者
場效電晶體（fet）是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高，噪聲係數低，受溫度和輻射影響小。因此特殊運用於高敏銳度、低噪聲電路中 。
場效電晶體的品種許多，按構造可分為兩大類：結型場效電晶體（jfet）和絕緣柵型場效電晶體（igfet）.結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。
絕緣柵場效電晶體次要指金屬--氧化物--半導體場效電晶體（mos管）
。mos管又分為「耗盡型」和「加強型」兩種，而每一種又分為n溝道和p溝道 。
結型場效電晶體是應用導電溝道之間耗盡區的寬窄來掌握電流的，輸出電阻（105～1015）之間；
絕緣柵型是應用感應電荷的若干來掌握導電溝道的寬窄從而掌握電流的鉅細，其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在矽片上的整合度高，因而在大範圍積體電路中佔領極端主要的位置 。
6樓：知無不道
按大類分就是兩種，結型場效電晶體與絕緣柵型場效電晶體。
7樓：
場效電晶體分為結型場效電晶體（jfet）和絕緣柵場效電晶體（mos管）兩大類。
請參考：網頁連結。
場效電晶體怎麼分上管下管？ 5
8樓：俱懷逸興壯思飛欲上青天攬明月
場效電晶體區分上管下管的方法：
上管指的是p溝道一側的管，下管指的是n溝道一側的管。只要把場效電晶體連入電路，給合理的導通電平，能夠實現合理放大，那麼高電平端接的就是上管。否則就是接反了，高電平接的就是下管。
場效應電晶體簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
薄膜絕緣柵型場效應電晶體和TFT是不是一種東西？哪位大哥給我講明白就追加100分說到做到
tft全稱薄膜場效應電晶體，屬於mosfet，所以薄膜絕緣柵型場效應電晶體就是tft。具體的工作原理看看mosfet就可以了，這個 上一搜就能有很多。大致過程簡單點說，就是在柵極 gate 施加正偏壓，p型半導體內的電子就會被向上吸引，這樣在絕緣層 oxide layer 和半導體 p stype ...
絕緣柵場效電晶體的工作原理，求解MOS場效電晶體的構造原理，和工作原理，越詳細越好，謝謝。
絕緣柵場效電晶體的導電機理是，利用ugs 控制感應電荷的多少來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流id。若ugs 0時，源 漏之間不存在導電溝道的為增強型mos管，ugs 0 時，漏 源之間存在導電溝道的為耗盡型mos管。圖2中襯底為p型半導體，在它的上面是一層sio2薄膜 在sio2薄膜上蓋一層金...
場效電晶體的型號有多少
場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。主要有兩種型別 junction fet jfet 和金屬 氧化物半導體場效電晶體 metal oxide semiconductor fet，簡稱mos fet 由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬...