1樓：匿名使用者
現行場效電晶體有兩種命名方法。
第一種命名方法與雙極型三極體，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表 材料，d是p型矽，反型層是n溝道；****8ttt8.
***c是n型矽p溝道。例如,3dj6d是結型n溝道場效應三極體，3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極體。
第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。
舉個三極體的例子：3dg12，這是我國三極體的典型命名方法：3表示三極體，d表示矽材料n管，g表示高頻中功率，12表示產品序號。
三極體和場效電晶體怎麼區分？
2樓：a九尾妖姬
三極體是電流控制型.
場效電晶體是電壓控制型.
從型號區分:
場效電晶體型號如 irf .....
三極體型號如 國產:3dd,國外:2s.....
場效電晶體有兩種命名方法。
第一種命名方法與雙極型三極體，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表 材料，d是p型矽，反型層是n溝道；c是n型矽p溝道。例如,3dj6d是結型n溝道場效應三極體，3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極體。
第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。
3樓：休夏之泉湉
fffect
transistor的縮寫,即為場效應電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型電晶體,而fet僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。
三極體主要起電流放大作用
4樓：碩覺務秋靈
1.在看電路圖時，圖上的標記符號圖形都有明示。符號是fet(結型場效電晶體）、igfet(絕緣柵場效電晶體）三個極是g,d,s.
2.在看元件實物時，表面印刷的符號標註有3dj7j就是結型，3do7就是絕緣柵型.
3.用萬能表檢測管子時，只能測量一個大概，並不準。絕緣柵型的還不允許用萬能表測，因為柵極耐壓低、輸入電阻極高，容易被引入的靜電擊穿。
5樓：空湘章元瑤
現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,
特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件(電晶體是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小,其結構簡圖如圖c-a.
場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p-n結,在零偏壓的狀態下,它是導通的,如果在其柵極(g)和源極(s)之間加上一個反向偏壓(稱柵極偏壓)在反向電場作用下p-n變厚(稱耗盡區)溝道變窄,其漏極電流將變小,(如圖c1-b),反向偏壓達到一定時,耗盡區將完全溝道"夾斷",此時,場效電晶體進入截止狀態如圖c-c,此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓,用vpo表示,它與柵極電壓vgs和漏源電壓vds之間可近以表示為vpo=vps+|vgs|,這裡|vgs|是vgs的絕對值.
在製造場效電晶體時,如果在柵極材料加入之前,在溝道上先加上一層很薄的絕緣層的話,則將會大大地減小柵極電流,也大大地增加其輸入阻抗,由於這一絕緣層的存在,場效電晶體可工作在正的偏置狀態,我們稱這種場效電晶體為絕緣柵型場效電晶體,又稱mos場效電晶體,所以場效電晶體有兩種型別,一種是絕緣柵型場效電晶體,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置狀態,一種是結型柵型效應管,它只能工作在反向偏置狀態.
絕緣柵型場效電晶體又分為增強型和耗盡型兩種,我們稱在正常情況下導通的為耗盡型場效電晶體,在正常情況下斷開的稱增強型效應管.增強型場效電晶體特點:當vgs=0時id(漏極電流)=0,只有當vgs增加到某一個值時才開始導通,有漏極電流產生.
並稱開始出現漏極電流時的柵源電壓vgs為開啟電壓.
耗盡型場效電晶體的特點,它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作,而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻).
結型柵場效電晶體應用的電路可以使用絕緣柵型場效電晶體,但絕緣柵增強型場效管應用的電路不能用結型
柵場效電晶體代
回答什麼是三極體首先要先從什麼是半導體開始。半導體其實也可以算是絕緣體，但是它與絕緣體的區別在於，（以下市能帶論內容，不必完全理解，直到大概意思就行了）絕緣體禁頻寬度要比半導體近代寬度大不少！所以，價帶的電子不容易激發到導帶，所以不導電，而半導體因為禁頻寬度小，所以價帶電子容易進入導帶成為導電電子。
所以半導體成為了重要的電學材料。
以上是稍微的一點背景介紹。
半導體（一般用的），分為n型半導體和p型半導體，n型半導體一般就是在本徵半導體（純淨的無缺陷的半導體）中摻5族元素，如磷、砷等；p型半導體一般是在本徵半導體中摻3族元素，如硼。
三極體就是兩層p型半導體中間夾著一層n型半導體，或者兩層n型半導體中間夾著一層p型半導體，三層半導體分別引出電極，這就形成了一個三極體。
但是有一點要注意，這三層半導體材料不是很隨便就可以的，要滿足一定的厚度，摻雜濃度，等等~~
以下是三極體放大的原理（一般情況三極體都是用來放大的，下面是我以前回答別人時的答案，
其實不是三極體本身具有放大（功率放大）功能，而是三極體基級與直流電源相連，由直流電源提供功率放大所需的能量。
基級電流很小，但是由它引起的集電極電流變化卻很大（主要針對npn管，pnp管放大能力相對弱），至於為什麼能使集電極電流變化很大，最好看一下電晶體原理對電晶體內部電流的分析。有圖是最好的，否則光靠文字說，不太好理解。
再補充一點，從載流子角度來說，基級電流相當於提供發射極電流在基區複合掉的那部分，而發射極電流在流經基區時，有很少一部分與基區載流子複合（從電晶體結構來說，基區摻雜很低，也就是載流子濃度低，所以複合少），那麼也就是說發射極電路損失少，那麼基級電流補充的也就少，即基級電流很小。
發射極電流既然大部分都免於複合，那麼就到達了集電極，成為集電極電流，這部分相對於複合的部分來說是很大的。這樣從外部看，三極體就有了放大作用~
表達還是不是很清楚，請見諒~~
當然三極體還有可能只利用發射結或者集電結當作二極體用，一般都是在積體電路中~~
怎麼區分場效電晶體與三極體?
6樓：木頭大寶劍
1.在看電路圖時，圖上的標記符號圖形都有明示。符號是fet(結型場效電晶體）、igfet(絕緣柵場效電晶體）三個極是g,d,s.
2.在看元件實物時，表面印刷的符號標註有3dj7j就是結型，3do7就是絕緣柵型.
3.用萬能表檢測管子時，只能測量一個大概，並不準。絕緣柵型的還不允許用萬能表測，因為柵極耐壓低、輸入電阻極高，容易被引入的靜電擊穿。
7樓：匿名使用者
用表量.三極體的其中一個腳和另外兩個腳都是通的. 場效電晶體的其中一個腳和另外兩個腳都不通的.
8樓：國彥友彥紅
以上兩位的答案已經很詳細了，我補充點具體資訊。有金屬的是大功率管，為了散熱，不能區分是什麼管。通常三極體較小，常用的有8050，1805。
1300，3dx等。場效電晶體一班比較大，是扁平的，有的標f。
9樓：隱苗仰曼珍
三極體與場效電晶體的區別在於場效管得有觸發訊號,而三極體不用,再三極體有放大訊號和縮小訊號兩種
10樓：以火慎沛柔
它們的電流不一樣，一個是圓的一個是方的
11樓：翦強鄧邁
現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,
特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件(電晶體是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小,其結構簡圖如圖c-a.
場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p-n結,在零偏壓的狀態下,它是導通的,如果在其柵極(g)和源極(s)之間加上一個反向偏壓(稱柵極偏壓)在反向電場作用下p-n變厚(稱耗盡區)溝道變窄,其漏極電流將變小,(如圖c1-b),反向偏壓達到一定時,耗盡區將完全溝道"夾斷",此時,場效電晶體進入截止狀態如圖c-c,此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓,用vpo表示,它與柵極電壓vgs和漏源電壓vds之間可近以表示為vpo=vps+|vgs|,這裡|vgs|是vgs的絕對值.
在製造場效電晶體時,如果在柵極材料加入之前,在溝道上先加上一層很薄的絕緣層的話,則將會大大地減小柵極電流,也大大地增加其輸入阻抗,由於這一絕緣層的存在,場效電晶體可工作在正的偏置狀態,我們稱這種場效電晶體為絕緣柵型場效電晶體,又稱mos場效電晶體,所以場效電晶體有兩種型別,一種是絕緣柵型場效電晶體,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置狀態,一種是結型柵型效應管,它只能工作在反向偏置狀態.
絕緣柵型場效電晶體又分為增強型和耗盡型兩種,我們稱在正常情況下導通的為耗盡型場效電晶體,在正常情況下斷開的稱增強型效應管.增強型場效電晶體特點:當vgs=0時id(漏極電流)=0,只有當vgs增加到某一個值時才開始導通,有漏極電流產生.
並稱開始出現漏極電流時的柵源電壓vgs為開啟電壓.
耗盡型場效電晶體的特點,它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作,而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻).
結型柵場效電晶體應用的電路可以使用絕緣柵型場效電晶體,但絕緣柵增強型場效管應用的電路不能用結型
柵場效電晶體代
回答什麼是三極體首先要先從什麼是半導體開始。半導體其實也可以算是絕緣體，但是它與絕緣體的區別在於，（以下市能帶論內容，不必完全理解，直到大概意思就行了）絕緣體禁頻寬度要比半導體近代寬度大不少！所以，價帶的電子不容易激發到導帶，所以不導電，而半導體因為禁頻寬度小，所以價帶電子容易進入導帶成為導電電子。
所以半導體成為了重要的電學材料。
以上是稍微的一點背景介紹。
半導體（一般用的），分為n型半導體和p型半導體，n型半導體一般就是在本徵半導體（純淨的無缺陷的半導體）中摻5族元素，如磷、砷等；p型半導體一般是在本徵半導體中摻3族元素，如硼。
三極體就是兩層p型半導體中間夾著一層n型半導體，或者兩層n型半導體中間夾著一層p型半導體，三層半導體分別引出電極，這就形成了一個三極體。
但是有一點要注意，這三層半導體材料不是很隨便就可以的，要滿足一定的厚度，摻雜濃度，等等~~
以下是三極體放大的原理（一般情況三極體都是用來放大的，下面是我以前回答別人時的答案，
其實不是三極體本身具有放大（功率放大）功能，而是三極體基級與直流電源相連，由直流電源提供功率放大所需的能量。
基級電流很小，但是由它引起的集電極電流變化卻很大（主要針對npn管，pnp管放大能力相對弱），至於為什麼能使集電極電流變化很大，最好看一下電晶體原理對電晶體內部電流的分析。有圖是最好的，否則光靠文字說，不太好理解。
再補充一點，從載流子角度來說，基級電流相當於提供發射極電流在基區複合掉的那部分，而發射極電流在流經基區時，有很少一部分與基區載流子複合（從電晶體結構來說，基區摻雜很低，也就是載流子濃度低，所以複合少），那麼也就是說發射極電路損失少，那麼基級電流補充的也就少，即基級電流很小。
發射極電流既然大部分都免於複合，那麼就到達了集電極，成為集電極電流，這部分相對於複合的部分來說是很大的。這樣從外部看，三極體就有了放大作用~
表達還是不是很清楚，請見諒~~
當然三極體還有可能只利用發射結或者集電結當作二極體用，一般都是在積體電路中~~
場效電晶體和三極體在實際應用中有什麼不同
三極體有成本低的優勢，電子鎮流器裡面還有陣地。再者就是高壓三極體比如1500v的，三極體也有空間。看來你也是比較有經驗的了，這裡說幾點供參考 1 場效電晶體發展很快，現在的低壓場效電晶體的導通電阻可以做到2毫歐 當然不是所有的管子 這意味著10a的電流，也就20mv的壓降，電晶體的導通壓降在0.2 ...
三極體IRF3205用什麼代替，場效電晶體IRF3205可以用其它型號的三極體代替嗎？
別聽樓上的亂說，irf3205是n溝道場效應功率管，功率200w，最大電流110a，源極與漏極電壓55v。是做逆變器和電魚機的好東西啊，一般用電流差不多的場功率管換，如70n06，85n06，irfp250，等等。其實根本不用什麼代換的，irf3205很容易買到的，一般三塊錢一個。場效電晶體irf3...
三極體如何區分矽管還是鍺管，如何判斷三極體是矽管還是鍺管？
一般矽管pn結的電壓為0 6 0 7 v.鍺管pn結的電壓為 0 2 0 3v,還有一點比較實用,就是受科技與工藝的限制,製造npn的矽管比pnp的要容易得多,而鍺管是pnp要比npn容易,因此,市面上的npn矽管比pnp多得多,而pnp的鍺管要比npn的多得多,尤以鍺管為甚,憑此,當你拿到一個與眾...