1樓：象拔蚌燒賣
晶體三極體的三種工作狀態：
1、截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於pn結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。
2、放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝δic/δib，這時三極體處放大狀態。
3、飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
2樓：朱哥講電子
學習電子裝置中的基礎知識要知道。
電晶體的三種工作狀態是哪些？
3樓：象拔蚌燒賣
晶體三極體的三種工作狀態：
1、截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於pn結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。
2、放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝δic/δib，這時三極體處放大狀態。
3、飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
4樓：坐著烏龜去游泳
（1） 截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於pn結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。
2） 放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝δic/δib，這時三極體處放大狀態。
3） 飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
在飽和條件下，三極體的電壓就是飽和電壓降uces，矽管只有左右，此時三極體可以允許電流達到最大集電極電流，而功耗並不大；在截止狀態下集電極電流為0，uce0不超過最大集電極電壓就可以，此時功耗也極小。在從飽和到截止(或反之)的過程中，會暫時進入放大區，此時三極體的電流、電壓並不是最大值，但管耗卻是最大的。所以管耗與三極體開關的速度有關，也與開關的頻率有關。
開關三極體工作時，得注意不能超最大耐壓及最大集電極電流，最大輸出功率反倒是很少會超出。
現在基本上很少用分離的三極體來搭一個放大電路了，用作放大時三極體多接成射隨器，作功率放大用。分離的三極體作放大電路有兩個問題，一是比較難以計算，二是溫漂較大。
5樓：朱哥講電子
學習電子裝置中的基礎知識要知道。
電晶體有哪三種工作狀態？
6樓：匿名使用者
晶體三極體。
的三種工作狀態：
1、截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於pn結。
的導通電壓，基極。
電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。
2、放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝δic/δib，這時三極體處放大狀態。
3、飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
7樓：朱哥講電子
學習電子裝置中的基礎知識要知道。
電晶體工作原理是什麼？
8樓：輪看殊
其工作原理是：
首先，電源作用於發射結上使得發射結正向偏置，發射區的自由電子不斷的流向基區，形成發射極電流。
其次，自由電子由發射區流向基區後，先聚集在發射結附近，但隨著此處自由電子的增多，在基區內部形成了電子濃度差，使得自由電子在基區中由發射結逐漸流向集電結，形成集電極電流。
最後，由於集電結處存在較大的反向電壓，阻止了集電區的自由電子向基區進行擴散，並將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區，形成集電極電流。
電晶體誕生歷史。
當時，市場的領導者們不太願意接納個人運算業務，原因很簡單——投入產出比太低，而且軟體缺乏標準化，且潛在使用者又受限於專業技能，導致市場預期並不樂觀。
但是，當8080處理器被廣泛用於各種終端裝置之後，intel的工程師開始意識到個人運算的重要性，並試圖說服公司高層儘快著手個人運算業務了。而且，當時還在hp供職的天才設計師斯蒂夫·伍茲尼亞克（steve wozniak）也做了同樣的事情——建議hp開展個人運算業務。
2023年12月，在邁克爾·法拉第、朱利葉斯·利林費爾德、鮑里斯·達威德夫、拉塞爾·奧爾、卡爾·l-霍羅維茨等半導體專家們的研究基礎上，威廉·肖克利、沃爾特·布拉頓、約翰·巴丁、羅伯特·吉布以及傑拉爾德·皮爾森五位科學家在貝爾實驗室聯合開發了業界首款電晶體。
怎麼判斷電晶體工作狀態
9樓：mist_紫櫻陪林皎看星星
這種題目你其實去核算一下就可以了。
你抓住三點：當三極體處於放大狀態時，ic=bib；如果是截止，則ic=ib=0；如果是飽和，則會出現icibmax>0，則可以判斷為飽和狀態。
還有一些輔助的判斷方法，比如在放大狀態下，uce一般大於1v，而如果它小於1v特別是小於基本上就是標準的飽和了，這個方法可以用在實際電路的判斷上。
a圖的那題，你也可以用以上方法去判斷，我瞄了一眼，不做具體計算，感覺上應該是放大。
判斷電晶體的工作狀態，求詳解。
10樓：綰潯漓醬
這個貌似是電工電子的題目嘛。
看狀態與否，關鍵是看發射結電壓和基極電流。
1、先看電壓，a,b圖的基極電壓均大於發射結導通需要的電壓，因此三極體肯定導通（所謂導通，就是飽和或者放大），而c圖，發射結所加電壓是個負數，-6v，鐵定截止，所以c圖就不用繼續分析了。
2、再看電流，計算一下uce，如果這個值大於1v，就基本上是放大，小於1v是飽和（這個判斷方法是工程實踐上的判斷方法，理論計算時，這個1v可以取得更小一點，即，也就是臨界飽和電壓，三極體的臨界飽和電壓可以近似理解為相當於ube的值）。
a圖，基極電流ib=(，這樣的話，ic=βib=50*，uce=vcc-ic*rc=>1v，放大。
b圖，基極電流ib=(，這樣的話，ic=40*，uce=<1v（這裡要是計算出負值也不要怕，說明這種情況不會出現，在這個狀態達到之前，三極體早就飽和了），所以是飽和。
放大和飽和最大的區別在於，放大時，遵守ic=βib的計算公式，而飽和時，ic<βib
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