雜質半導體中混入雜質時的溫度(熔點)需要多高

2021-07-05 19:09:39 字數 1677 閱讀 5306

1樓:匿名使用者

雜質半導體中混入雜質時的溫度(熔點)需要多高?

低摻雜半導體:由於所有雜質完全電離,溫度升高時多子濃度基本不變.

高摻雜半導體:雜質只有部分電離,溫度升高導致未電離的雜質原子電離,多子濃度升高明顯.

中等摻雜:介於二者之間.

在雜質半導體中,溫度變化時,載流子的數目變化嗎

2樓:吉祥如意

(2)溫度升高載流子的數目變多,漏電電流增大,線性變差,負反饋就是針對這個現象設計的。

雜質半導體中注入雜質時熔點需要多少高?

3樓:匿名使用者

低摻雜半導體:由於所有雜質完全電離,溫度升高時多子濃度基本不變.

高摻雜半導體:雜質只有部分電離,溫度升高導致未電離的雜質原子電離,多子濃度升高明顯.

中等摻雜:介於二者之間.

溫度升高,雜質半導體中多子濃度有變化嗎

4樓:小溪

應該載流子濃度會增加(含多子和少子),而不是單一多子濃度增加。

在雜質半導體中,溫度變化時,載流子的數目變化嗎

5樓:

變化。載流子數目可以用費米-狄拉克函式描述,從該函式可以看到,載流子數目取決於費米能級位置(可通過摻雜調控)和溫度。溫度升高後,載流子數目升高。

什麼叫雜質半導體?雜質半導體有哪幾種?為什麼要往純淨的半導體中摻入雜質?

6樓:匿名使用者

本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體,一般可分為n型半導體和p型半導體,半導體中的雜質對電導率的影響,本徵半導體摻雜後形成的p型或n型半導體,是製造積體電路,二極體電晶體的必須材料 http://baike.baidu.

為什麼雜質半導體中少數載流子的濃度比本徵半導體中

7樓:哈哈還岔

因為本徵半導體中形成了穩定的化學鍵,加入外層有3或5個電子的雜質後,形成化學鍵就會少或多電子,就會形成少子和多子

8樓:匿名使用者

因為半導體中的少數載流子濃度×多數載流子濃度=本徵載流子濃度的平方。

而多數載流子濃度大於本徵載流子濃度,所以少數載流子的濃度比本徵載流子濃度要小

1、在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決於( c ). a.溫度 b.雜質濃度 c.摻雜工

9樓:爽朗的考吧

書上寫的是在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度;而少數載流子的濃度主要取決於溫度---《電子技術基礎 第二版 霍亮生主編》p3

10樓:企鵝

因為半導體中的少數載流子濃度×多數載流子濃度=本徵載流子濃度的平方。

而多數載流子濃度大於本徵載流子濃度,

所以少數載流子的濃度比本徵載流子濃度要小

雜質半導體中雜質的含量?

11樓:尼可羅賓見鬼

一般低摻雜是10^12左右

中摻雜是10^15

高摻雜10^18以上

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