1樓：昱承同學
三極體在飽和狀態下，發射區域和集電區域都是由n型半導體材料構成，而基極區域是由p型半導體材料構成。
以下是具體區域舉笑凱的材料構成：
1. 發射區域：發射區域是三極體的n型半導體區域，在飽和狀態下，發射區域與基極之間的pn結正向偏置。發射區域通常是由高摻雜的n型矽材料構正喚成。
2. 基極區域：基極區域是三極體的p型半導體區域，在飽和狀態下，基極與發射區之間的pn結正向偏置。基極公升蘆區域通常是由高摻雜的p型矽材料構成。
3. 集電區域：集電區域是三極體的n型半導體區域，在飽和狀態下，集電區域與基極之間的pn結反向偏置。集電區域通常是由低摻雜的n型矽材料構成。
三極體在飽和狀態下，發射區域和集電區域都是由n型半導體材料構成，而基極區域是由p型半導體材料構成。
在飽和狀態下，電子從發射區域注入到基極區域，然後再從基極區域注入到集電區域，形成電流通路。
因為發射區域和集電區域都是n型半導體材料，具有高導電性，而且都是高摻雜的，所以電流可以通過它們流動，從而使三極體處於飽和狀態。飽和狀態下的三極體通常用於開關電路和數位電路中。
2樓：網友
答案：在飽和狀態下，三極體的材料構成是n型材料、p型材料和n型材料。n型材料是電子富集區，p型材料是空穴富集區，n型材料是電子富集區。
三極體通常由兩個pn結組成，其中滾氏乙個是發射結，另乙個是集電結，而基極則是由n型材料構成。
解釋：三極體是一種半導體器件，用於放大和開關電路。在放大電路中，它的工作狀態通常是放大狀態，而在開關電路中，它的工作狀態通常是飽和狀此備此態或截止狀態。
在飽和狀態下森迅，三極體的基極電壓達到一定值，使得電流從發射極流向集電極，從而實現電路的開關。
拓展：除了三極體，還有雙極型場效應電晶體（bjt）和金氧半導體場效應電晶體（mosfet）等半導體器件也可以用於放大和開關電路。不同器件的結構和工作原理有所不同，因此在選擇和設計電路時需要根據具體情況進行考慮。
3樓：網友
1 三極體在飽和狀態下的材料構成是：發射極、基極和集電極。
2 在三極體的飽和狀態下，發射極和基極之間的電壓超過了基極和集電極之間的電壓，使得發射極和基極之間的電流達到最大值。
此時，三極體的輸出電流被最大限蠢宴耐度地控制，無法再被進一步調節。
3 除了飽和狀態，三極體還有截止狀態和放大狀態，這些狀態是根據三極體基極電壓和集電極電壓之間的關係來確定的。
在實際祥餘電路應用中，需要根據具體的電路設計帶春要求來選擇三極體的工作狀態和材料，以達到最優的電路效果。
三極體的飽和電流如何形成
4樓：王卷卷啊
三鬥慎公升極管。
飽和導通時的電流是在外電空老路的電源和負載驅動下流動的，電流方向由電源正極圖負載、三極體的ce極流向孝燃負極。
因為三極體飽和導通時三極體的βib大於實際ic（βib>>ic），因此集電極電流ic的大小取決於外電路電源電壓ucc除以電路負載電阻rl，即ic≈ucc/rl。
怎樣讓三極體工作在飽和狀態
5樓：信必鑫服務平臺
三極體屬於電流型控制元器件，也就是小電流控制大電流，其有三個工作區間：截止區、放大區和飽和區。截止區的條件（假設be的壓降為：
ube＜，ube＞，此時ib=0，ec之間的內阻很大（相當於開路）。
放大區：ube≈，ib有電流，滿足ic=βib，ie=（β1）ib，也就是說ib越大則ic就越大，β為三極體的放大倍數，此時發射結正偏，集電結反偏。
飽和區：當基極電流繼續增大而集電極電流不再增大時（趨於穩定），此時三極體達到飽和，飽和時三極體的集電結正偏，發射結正偏。
對於三極體飽和狀態的理解
6樓：行動小百科
如何判斷飽和：判斷飽和時應該派虛李求出基級最大飽和電流ibs，然後再根據實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大於基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處於飽和狀態。
飽和的條件：1.集電極和電源之間有電阻存在，且越大就越容易管子飽和；2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素：1.集電極電阻：越大越容易飽和；2.三極體的放大倍數：放大倍數越大越容易飽和；3.基集電流的大小。
飽和後的現象：1.基極的電壓大於集電極的電壓；塵遲2.集電極的電壓為伏左右，基極為譽配伏左右。
對於三極體飽和狀態的理解
7樓：胡老師談科技
如何判斷飽和：判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流ibs，然後再根據實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大於基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處於飽和狀態。
飽和的條件：1.集電極和電源之間有電阻存在，且越大就越容弊埋易管子漏橋飽和；2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低租搜螞，從而出現b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素：1.集電極電阻：越大越容易飽和；2.三極體的放大倍數：放大倍數越大越容易飽和；3.基集電流的大小。
飽和後的現象：1.基極的電壓大於集電極的電壓；2.集電極的電壓為伏左右，基極為伏左右。
三極體飽和狀態應該怎麼理解
8樓：網友
三極體飽和問題總結：
1.在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和；
對於三極體飽和狀態解釋的非常透徹！
什麼是三極體飽和狀態
9樓：古吉喆囍
三極體飽和後c、e 間視為短路。三極體截止後c、e 間視為開路。
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點：
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝鍺管ubes＝－，而uces＝，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e 間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces 很小，ics 最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e 間視為短路。
三極體截止狀態下的特點：
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco 可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e 間的截止電阻rce＝uce／ic，uces 很大，等於電源電壓，ics 極小，c、e 間電阻rce 很大，所以，三極體截止後c、e 間視為開路。
三極體放大狀態下的特點：
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝鍺管ube＝－，三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v 以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。
三極體在放大狀態時，ib 與ic 成唯一對應關係。當ib 增大時，ic 也增大，並且1b 增大一倍，ic 也增大一倍。所以，ic 主要受ib 控制而變化，且ic 的變化比ib 的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
對於三極體飽和狀態的理解
你的理解沒有錯抄誤，理解到這襲種程度已經下了功夫了。但確實還有一點問題，主要在於 1 過於在意 極電結正偏 了。其實，在飽和區，即便是極電結正偏，也還沒有達到極電結的正向導通電壓。不過，一般人都會被 正偏 誤導。2 飽和的含義 集電極電流是隨著基極電流的增大而增大的，當集電極電流增大到一定程度時，再...
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