高二物理題,高分求,高二物理題,高分求解!

2021-07-31 10:05:29 字數 1723 閱讀 8355

1樓:匿名使用者

那邊是l1啊?能來個圖啊?我設切割邊長l,沒切割的長為x,具體資料自己代吧

1、當相框從h高處自由下落,做加速度為g的勻加速運動,當相框還沒完全進入之前由於安培力逐漸增大,所以相框做加速度逐漸減小的加速運動,當加速度等於0時,安培力等於重力,之後做勻速運動。當相框全部進入後,磁通量不變化,沒有感應電流產生,所以之後加速度為g的勻加速運動。

2、設剛進入磁場時的速度為v0

根據動能定理有:mv0²/2=mgh

得v0=√2g

相框在磁場中運動,安培力的逐漸增大,所以相框做加速度逐漸減小的加速運動,當加速度等於0時,安培力等於重力

有:mg=b²l²v/r。資料自己待吧!

之後勻速運動,當相框全部進入時,磁通量不變化,沒有感應電流產生,之後做加速度為g的加速運動。

3、相框從自由下落到全部進入磁場的過程中,由相框的重力勢能轉化為相框的動能和熱量。當相框全部進入後,相框下落的高度為x+h

根據能量守恆有:mg(x+h)=mv²/2+q

所以q=mg(x+h)-mv²/2

2樓:匿名使用者

(1)因為v增大(安培力增大),a減小,最終勻速…所以線框先做加速度減小的加速運動,最後勻速…

(2)因為勻速。所以f安=bil=(b^2*l^2*v)/r(跟i=e/r…e=blv 聯立滴~)。由於沒圖。不知道l您所謂l1還是l2~就不代入資料了哈。

f安=(b^2*l^2*v)/r=mg。可解出v~(3)首先明確進入磁場過程中產生的電熱等於安培力做了多少負功。再用動能定理~

1/2 mv^2-0=mgh+w安

q=-w安=mgh-1/2 mv^2

希望幫到您~有不懂的歡迎繼續問哦~

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3樓:匿名使用者

在速度選擇器中

eq=qvb1

v=e/b1求得v=2*10^5m/s

在磁場b2的作用下

qvb2=mv平方/r

r=(mv)/(qb2)

質子和氘核半徑比等於質量除以帶電量的比

所以等於1:1

4樓:

<1>在速度選擇器中粒子做勻速直線運動,qvb=qe, v=e/b1=1.2*10^5/0.6=2*10^5

<2>qvb2=mv^2/r r=mv/qbr質子=m*2*10^5/q*0.8 質子的比荷為1 所以r質子=2.5*10^4

氘核比荷為0.5,倒數為2,所以r氘核為5*10^4d=2*r氘核-2*質子=10^5-5*10^4=5*10^4就這樣了吧,耐心一點看啊,謝了

5樓:匿名使用者

由質譜儀性質:

打入b1磁場的粒子收到洛倫茲力和電場力

qvb1=eq

同時約去q

得到 v=e/b1=1.2*10^5/0.6=2*10^5 m/s質子質量為1個u 1.6*10^-27kg,帶電量為一個q 1.6*10^-19 c

氘核質量為2個u(近似認為一個質子和一箇中子的線性疊加),帶電量為一個q

所以,由

兩者以相同速度進入偏轉磁場b2,

qvb2=m*v^2/r

得:對於質子來說,r質=m質v/qb2=2.5*10^-3m對於氘核來說,r氘=m氘v/qb2=5*10^-3m所以距離差d=2*(r氘-r質)=5*10^-3m這位同學要好好學習物理啊,不然去大學沒法混的

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1 mvo mv mv 0.2 600 0.2 30 2v v 57m s f mg mv l f 2 10 2 57 1 6518n 2 i p m v 0.2 30 600 114n s,負號表示衝量方向與子彈速度方向相反 3 動能定理,物體上升過程只有重力做負功 mgh 0 mv 2 10h ...

高二物理題。求速度來人

電子帶負電荷,帶電量q 1.6 10 19 c,電子的質量約為m 9.3 10 31 kg 1 qu1 0.5mv0 2 代入q,u1,m計算出v0即可。2 進入偏轉電場後,水平方向不受力,做速度為v0的勻速直線運動。垂直方向受電場力,做初速為零的勻加速直線運動。類似於平拋。在金屬板中飛行時間t l...

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