1樓：氮硼科技
六方氮化硼（hbn）粉體，具有良好的耐高溫效能、優良的耐腐蝕效能、較高的熱導率、較低的熱膨脹係數，還具有絕緣、潤滑等性質，是一種應用價值巨大的新型功能材料。 一般來說，六方氮化硼粉體**是按公斤計算，目前市場**約200元~500元/公斤。氮硼科技目前已實現六方氮化硼年產量1000噸，採用了連續煅燒裝置合成，大規模批量生產，品質穩定，**可以優惠到100元/公斤。
六方氮化硼為什麼沒有π鍵
2樓：帳號已登出
問題出在了n的電負性上，由於n的電負性非常大，所以電子基本上不會扮侍螞像石墨那樣遊離在層與層之間而是被n束縛著，所以無法導電。
六方氮化硼是原子化合物，普通的金屬也是原子化合物，而硼是半導體廳埋元素，六方氮化硼為什麼不導電，簡單的說，沒有多餘的可以自由移動的電子，也沒有可以容納電子的空軌道。
氮化硼和石墨很相似，n和b同為sp2雜化形成平面的大π鍵，時n-b鍵鍵長縮短。但n的電負性遠高於b，因此n對π電子的吸引力更強一些，π電子雲。
向n收縮，不易沿π鍵轉移。
晶型。六方型氮化硼(與石墨相像，又稱石墨型氮化硼，白石墨)。相對密度。
莫氏硬度。約2。為白色粉末，在高壓下大約3000℃熔融。具有良好的電絕緣性、導熱性、抗腐蝕性和良好的潤滑性。化學穩定性較好，常溫下不與水、酸、鹼反應。
與水共煮緩慢水解生成硼酸和氨。與熱濃或熔融鹼以及熱的氯氣。
發生反應。可耐2000℃高溫。具有很強的吸電子能談悉力。可用硼砂和氯化銨。
在氨氣流中加熱製得。
六方氮化硼晶體存在的作用力
3樓：信曼嵐
六方氮化硼廣泛應用於火箭燃燒室的襯裡、高溫熱電偶保護套、高頻高壓焊接工具的高溫絕緣部件、多種加熱器的襯套、宇宙飛船的熱遮蔽材料等。
六方氮化硼的性質：
1、h－bn陶瓷的熱學效能。
h－bn陶瓷具有優異的耐熱效能，在乙個大氣壓的氮氣氣氛下，會在3000℃下昇華，在其他惰性氣氛中的最高許用溫度也可達2800℃；而在中性與還原氣氛中，也可耐2000℃左右的高溫；雖然h－bn在空氣氣氛下易被氧化，但其在900℃下抗氧化性良好，因而在空氣氣氛中的使用溫度也可達900℃。
h－bn具並派有優異的單向導熱效能，常溫下h－bn陶瓷平行方向的熱導率可達60w/(nvk)。且其熱導率隨溫度的公升高下降的趨勢較弱，在500℃以上時，熱導率高於beo，在陶瓷材料中高居首位。
h－bn陶瓷的熱膨脹係數較低，僅高於石英玻璃，在陶瓷中屬於較低的一類，其抗熱震效能良好，其熱壓制品在1200℃高溫下空冷至室溫的條件，迴圈上百次樣品也不會開裂。
2、h－bn陶瓷的電學效能。
h－bn結構中無自由電子，有良好的電絕緣性，高溫絕緣的理想材料之一。室溫下其擊穿電彎胡壓是氧化鋁陶瓷的2倍，介電損耗極低，可透紅外線與微波。
3、h－bn陶瓷的耐腐蝕性。
h－bn陶瓷化學性質十分穩定，與大多數的熔融金屬、玻璃和鹽既不潤溼也不反應，有較強的抗酸、鹼、熔融金屬和玻璃熔渣侵蝕能力。
4、h－bn陶瓷的機械效能。
h－bn陶瓷其莫氏硬度為2，質軟，截面之間的摩擦係數y很低，僅為。具有明顯的各向異性，可以像石墨一樣通過車削加工裝置進行機加工，其加工精埋蔽攔度可達。
六方氮化硼晶體中存在的作用力
4樓：網友
關於六方氮化硼晶體中存在的作用力這個問題，有如下這些想法：
六方氮化硼晶體中存在的作用力有：
1. 電子-電子作用力：由電子雀隱枯之間的相互作用引起，是電子在晶體中維持穩定的主要力量；
2. 電子-核作用力：由電子與原子核之間的相互作用引起，是電子在晶體中維持穩定的重要力量；
3. 核-核作用力：由原子核之間的相互作用引起，是原子核在晶體中維持穩定的主要力量；
4. 範德華力：由原子核之間的相互作用引起，是晶攜橘體的結構穩定性的主要力量。
六方氮化硼（h-bn），是一種人工合成的無機材料，具有多種優良效能，越來越廣泛的應用於各種新技術、新產品當中，提高了現代工業的技術水平，推動了新材料產業向更深、更廣的領域發展。
六方氮化硼（h-bn），是由氮原子和硼原子組成的六角網狀層面結構晶體，是氮化硼所有物相中唯一存在於自然界的物相結構頃洞，其外觀為質地柔軟、鬆散、有光滑感、易吸潮的白色粉末，具有類似於石墨烯的層狀結構特徵，因此又被稱為「白石墨」。
六方氮化硼晶胞中有幾個硼原子
5樓：勤謹還清廉的小餅子
氮化硼的晶胞中共含有8個原咐亂子，由於氮化硼中的氮原子數與硼前握原子數相等，故氮化硼晶胞中含有4個氮原子、4個硼原子。
構成晶體的最基本的幾何單元稱為晶胞，其形狀、大小與空間格仔的平行六面體單位相同，保留了整個晶格的所有特徵。
晶胞中離子數的確定：
可用均攤法確定某些晶體的化學式。例如立體晶體中粒子個數比的求法：
1、處於頂點的粒子，同時為8個晶胞共有，每個粒子有1/8屬於該晶胞慧簡慶；
2、處於稜上的粒子，同時為4個晶胞共有，每個粒子有1/4屬於該晶胞；
3、處於面上的粒子，同時為2個晶胞共有，每個粒子有1/2屬於該晶胞；
4、處於晶胞內的粒子，則完全屬於該晶胞。
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