半導體二極體工作在擊穿區,是否一定被損壞?為什麼

2021-07-31 01:51:19 字數 2183 閱讀 7700

1樓:匿名使用者

不一定,只要不發生熱擊穿,一般就不會損壞,二極體(pn結)的擊穿分為雪崩擊穿、隧道(齊納)擊穿、熱擊穿。例如隧道二極體的工作原理就是隧道擊穿,另外穩壓二極體也可在擊穿區反覆工作

2樓:匿名使用者

不一定損壞,應為造成損壞需要一定能量,如果沒有達到,就不會損壞。

事實上穩壓二極體就是一種專門用來在擊穿區工作的半導體二極體。

3樓:

有很多的二極體都是工作再 反向擊穿區的 只要不超過其耗散功率就行 超過之後就會發生熱擊穿 熱擊穿就是其在過功率下 溫度上升 直到燒燬 耗散功率就是目前反向電流*反向電壓

普通二極體只要工作在反向擊穿區,一定會被擊穿 這句話是對是錯?理由~

4樓:小馬分享時刻

不一定。因為當反向電壓達到一定數值時,反向電流突然增大,穩壓二極體進入擊穿區,此時即使反向電流在很大範圍內變化時,穩壓二極體兩端的反向電壓也能保持基本不變。但若反向電流增大到一定數值後,穩壓二極體才會被徹底擊穿而損壞。

這與二極體的工作原理有關。二極體是利用反向擊穿特性所表現出的穩壓效能製成的器件。穩壓二極體也稱反向擊穿二極體,在電路中起穩定電壓作用。

它是利用二極體被反向擊穿後,在一定反向電流範圍內反向電壓不隨反向電流變化這一特點進行穩壓的。

5樓:x丶只不過是

不一定,只有反向電壓大於它的耐壓值以後,才可能擊穿。

當反向電壓大於反向擊穿電壓uz以後,才會產生擊穿現象,反向電流迅速增大。也就是說,只要加的反向電壓不大於uz,二極體都不會擊穿。

反向擊穿電壓uz對於普通的整流二極體來說,就是它的反向耐壓值,對穩壓二極體來說,就是它的穩壓值。

6樓:矽谷圖霸

這句話沒有錯。pn結(二極體為只有一個pn結的器件)的擊穿分為齊納擊穿和熱擊穿,二極體工作於反向擊穿是被擊穿了,但只要此時流過該管的反向電流不過大,那麼該高壓撤去之後,二極體仍是好的,不會損壞。這是齊納擊穿。

若二極體工作於反向擊穿區,並且流過很大的電流,此時便會造成熱擊穿,而此種擊穿是不可逆轉的,一旦發生熱擊穿,意味著該管已經永久性損壞。

7樓:

這句話表述前後矛盾?既然已經定義它“工作在反向擊穿區”,那麼應該是“已經被擊穿”,否則怎麼叫“工作在反向擊穿區”?

但是擊穿並不等於燒燬,只要限制擊穿電流,使得不超過它的功耗,那麼它是可逆的,當電壓消失後,pn結就會恢復正常。

二極體工作在擊穿區,是否一定被損壞?為什麼? 5

8樓:匿名使用者

不一定,要看老化成度及臨界狀態持續時間,擊穿區不代表二極體已擊穿,故不一定被擊穿

9樓:匿名使用者

擊穿區有兩個。電擊穿:這個擊穿沒什麼關係,不會損壞二極體。熱擊穿:這個的話,二極體就壞了。穩壓管就是工作在電擊穿狀態的,又不會損壞。

可以工作在擊穿區的半導體器件是? 5

10樓:

穩壓二極體呀,只有工作在反向擊穿區才起穩壓作用

半導體的擊穿區是什麼意思

11樓:荒漠淪落

半導體擊穿分為齊納擊穿和雪崩擊穿,齊納擊穿為半導體特性,雪崩擊穿為導體特性。

半導體被擊穿後導致不能使用,是為什麼

12樓:新力量

半導體器件一般都是矽材料製成的,常見的如二極體,三極體,mos管,igbt等,控制器件的最基本結構是pn結,以及矽絕緣層,這些結構的尺寸都非常小,耐電壓和電流的能力都有限制,所謂擊穿就是半導體內部的一些結被電熱擊穿,失去原有的特性,因為是物理損傷,微觀上是矽晶體結構區域性燒燬,所以無法恢復。

比如二極體的擊穿,正常是正向導通,反向截止,一旦擊穿,就失去這樣的特性,特性變為電阻性的,嚴重的直接短路。

二極體一旦反向擊穿就一定損壞嗎?一定嗎?

13樓:皎月

反向擊穿不一定損壞。

反向擊穿,

如果在限流情況下,

雖然擊穿,但電流不大,,

在降壓後是可逆的,可以正常使用。

但如果電流很大,pn結燒燬,

就徹底壞了!!

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