想找一種MOS管,要求G極為0電壓時,D與S極導通G極加電

2021-04-26 17:28:23 字數 2615 閱讀 5780

1樓:匿名使用者

p-channel mos管應該可以做到。

2樓:匿名使用者

耗盡型mos,ald110800.

3樓:匿名使用者

pmos就可以了,s端接地,gs間加以電阻

我想找一種mos管,要求g極為0電壓時,d與s極導通;g極加電壓時,d與s極斷開。 最好導通電壓小於5v

4樓:匿名使用者

導通電壓2v多。推薦一種si2301 g極為0電壓時,d與s極導通;

si2302 與si2301相反

5樓:匿名使用者

你沒有提電流方面的要求,所以選用任意一款耗盡型場效電晶體都可以。

6樓:我要

rf3205 rf4905可以搭h橋

低電壓耗盡型mosfet型號

7樓:匿名使用者

用j-fet吧 mosfet很少有耗盡型的 你這個不好找 j-fet效果和耗盡型mosfet一樣 你可搜尋一下。 推薦你一款東芝的2sk3582ct 封裝0.8*1mm

8樓:樂安亭居士

你查下lm2743滿足你的需要嗎。

npn型mos管是高電平導通,為什麼g極電壓比s極電壓低時導通,反而稱作高電平導通? 5

9樓:匿名使用者

從來沒有npn型mos管這種說法。mos只有nmos和pmos兩種。npn和pnp是三極體的說法。

nmos的g=0.5v,s=5v,d=0v,這種說法也是錯誤的。這個時候s和d已經互換。如果vt低於0.5v,此時nmos導通。

需要指出的是,只有對稱型的mos才允許s和d互換。

在g極懸空的條件下,增強型n溝道mosfet的d極和s極之間的的電壓比較的大,是不是會導致d與s的導通呢。

10樓:折騰嗎

實際所有n溝道mos場效電晶體都有一個s極指向d極的「寄生二極體」(p溝道是不過g極禁止懸空,以免靜電擊穿! c. 正電壓 不過g極禁止懸空,

11樓:匿名使用者

會的,當vds高到一定程度以後,會使寄生在ds之間的body diode擊穿,從而導通,導通後極有可能燒壞。

vds瞬間過高,也會導致g極上產生電壓,從而出現擎住效應,致使器件導通、燒壞。

cpu供電電路上的場管,當場管的g極,s極,d極 分別出現短路或斷路,電路會怎麼走,會怎樣

12樓:張洪珠

首先你要明白gds分別是什麼極

g-柵極

s-源極

d-漏極

場效電晶體是通過柵極電壓驅動的,分n型和p型,無論什麼型,s-d短路就是直接導通,短路就是有驅動也不導通,這些管子一般做開關,就是一個可以控制的開關。n型是g-s間電壓;p型是d-g間電壓。如果短路的話要麼導通,要麼燒燬管子。

一般在驅動部分加電阻限壓限流。

mos管工作在開關要怎樣接線?為什麼g極沒加正電,s極和d極導通了?圖中的mos管是n增強型。

13樓:美吉克樂

你確定是nmos麼,如果是,用萬用表測量d到s的電阻或者np結電壓,如果電阻很小,就是mos的ds擊穿了,換一個mos管試一試,如果是np結電壓在0.7v左右,那可能是選了個pmos帶反向保護的。

還有一種可能是g級的電壓感應到電荷了,試著在g級和電池負並一個10k~100k的下拉電阻

n結場效電晶體,g極是p區,s,d極都是n區,要是導通,應該是gs為正電壓吧,為什麼是負電壓呢?

14樓:匿名使用者

結型場效電晶體是gs加負電壓,n溝道絕緣性場效電晶體gs為正電壓導通,這你多看看模電就明白了

15樓:天空

n區是自由自由區,p區是空穴區,如果加正電壓,電流從g到s,則電子從s到g(n區到p區),然後n區的自由電子就變少了,則n溝道變窄甚至關斷。所以要導通的話,加負電壓開啟n溝道,才能導通。

16樓:匿名使用者

pn區域只有加負電壓時,才能加大阻擋層的寬度,使導電溝道寬度變化。如果加正向電壓,阻擋層變薄,就不能改變導電溝道的變化了。

mos管做開關電路,5v接g,s極,則d,s極導通,但是斷開5v驅動,為什麼管子還是導通,怎麼控制管子關斷

17樓:電子書生

要有柵極洩防迴路管子才能快速順利地截止。

由於柵極和襯底之間有一層薄薄的二氧化矽絕緣層,所以柵極和襯底之間相當於存在一個電容。當g加上電壓後就會給這個電容充電,當g上的電壓撤掉後若g懸空電容的電荷是不能馬上放掉的,實際上g極的電壓仍然存在一段時間,所以不會馬上截止。實際使用時當要求管子截止時必須要在gs之間建立洩放回路(比如直接短路或通過電阻放電)才可以。

18樓:滑動

因為存在結電容,電容還沒來得及放完電,所以還是導通,在gs接一個電阻就行了。

詳情參考中國電子diy之家有關資料

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