1樓:匿名使用者
正裝晶片:最早出現的晶片結構,也是小功率晶片中普遍使用的晶片結構.該結構,電極版
在上方,從上至下材料為:p-gan,發光層權,n-gan,襯底.
所以,相對倒裝來說就是正裝;
倒裝晶片:為了避免正裝晶片中因電極擠佔發光面積從而影響發光效率,晶片研發人員設計了倒裝結構,即把正裝晶片倒置,使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出(襯底最終被剝去,晶片材料是透明的),同時,針對倒裝設計出方便led封裝廠焊線的結構,從而,整個晶片稱為倒裝晶片(flip chip),該結構在大功率晶片較多用到.
以上僅作簡介,謝謝!
電極:分為正、負極,統稱電極;
極性:指電極是正極還是負極,是對電極的描述。
大家經常會這樣問:電極的極性是什麼?
希望能解答你的疑惑。
求教,led正裝和倒裝的原理和區別
2樓:喲喲喲來咯啦咯
led正裝原理:
正裝結構,從上至下材料為:p-gan、發光層、n-gan、襯底。正裝結構有源區發出的光經由p型gan區和透明電極出射,採用的方法是在p型gan上製備金屬透明電極,使電流穩定擴散,達到均勻發光的目的。
led倒裝原理:
倒裝晶片(filp chip)技術,是在晶片的p極和n極下方用金線焊線機制作兩個金絲球焊點,作為電極的引出機構,用金線來連線晶片外側和si底板。led晶片通過凸點倒裝連線到矽基上。
led正裝與倒裝區別有:
1、固晶不同:正裝小晶片採取在直插式支架反射杯內點上絕緣導熱膠來固定晶片,而倒裝晶片多采用導熱係數更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連,且本身支架基座通常為導熱係數較高的銅材。
2、焊線不同:正裝小晶片通常封裝後驅動電流較小且發熱量也相對較小,因此採用正負電極各自焊接一根φ0.8~φ0.
9mil金線與支架正負極相連即可;而倒裝功率晶片驅動電流一般在350ma以上,晶片尺寸較大,通常在晶片正負極與支架正負極間各自焊接兩根φ1.0~φ1.25mil的金線。
3、熒光粉選擇不同:正裝小晶片一般驅動電流在20ma左右,而倒裝功率晶片一般在350ma左右,因此二者在使用過程中各自的發熱量相差甚大,在散熱處理不好的情況下,熒光粉長時間老化衰減嚴重,因此在倒裝晶片封裝過程中建議使用耐高溫效能更好的矽酸鹽熒光粉。
4、膠體的選擇不同:正裝小晶片發熱量較小,因此傳統的環氧樹脂就可以滿足封裝的需要;而倒裝功率晶片發熱量較大,需要採用矽膠來進行封裝。
5、點膠不同:正裝小晶片的封裝通常採用傳統的點滿整個反射杯覆蓋晶片的方式來封裝,而倒裝功率晶片封裝過程中,由於多采用平頭支架,因此為了保證整個熒光粉塗敷的均勻性提高出光率而建議採用保型封裝(conformal-coating)的工藝。
6、灌膠成型不同:正裝晶片通常採用在模粒中先灌滿環氧樹脂然後將支架插入高溫固化的方式;而倒裝功率晶片則需要採用從透鏡其中一個進氣孔中慢慢灌入矽膠的方式來填充,填充的過程中應提高操作避免烘烤後出現氣泡和裂紋、分層等現象影響成品率。
7、散熱設計不同:正裝小晶片通常無額外的散熱設計;而倒裝功率晶片通常需要在支架下加散熱基板,特殊情況下在散熱基板後新增風扇等方式來散熱;在焊接支架到鋁基板的過程中 建議使用功率<30w的恆溫電烙鐵溫度低於230°C,停留時間<3s來焊接。
3樓:樑甲子戊
一、led正裝
正裝結構,上面通常塗敷一層環氧樹脂,下面採用藍寶石為襯底,電極在上方,從上至下材料為:p-gan、發光層、n-gan、襯底。
正裝結構有源區發出的光經由p型gan區和透明電極出射,採用的方法是在p型gan上製備金屬透明電極,使電流穩定擴散,達到均勻發光的目的。
二、led倒裝
倒裝晶片(filp chip)技術,是在晶片的p極和n極下方用金線焊線機制作兩個金絲球焊點,作為電極的引出機構,用金線來連線晶片外側和si底板。led晶片通過凸點倒裝連線到矽基上。這樣大功率led產生的熱量不必經由晶片的藍寶石襯底,而是直接傳到熱導率更高的矽或陶瓷襯底,再傳到金屬底座。
製作方式:製備具有適合共晶焊接的大尺寸led晶片,同時製備相應尺寸的矽底板,並在其上製作共晶焊接電極的金導電層和引出導電層(超聲波金絲球焊點)。然後,利用共晶焊接裝置將大尺寸led晶片與矽底板焊在一起。
三、led正裝與倒裝區別
(1).固晶:正裝小晶片採取在直插式支架反射杯內點上絕緣導熱膠來固定晶片,而倒裝晶片多采用導熱係數更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連,且本身支架基座通常為導熱係數較高的銅材;
(2).焊線:正裝小晶片通常封裝後驅動電流較小且發熱量也相對較小,因此採用正負電極各自焊接一根φ0.
8~φ0.9mil金線與支架正負極相連即可;而倒裝功率晶片驅動電流一般在350ma以上,晶片尺寸較大,因此為了保證電流注入晶片過程中的均勻性及穩定性,通常在晶片正負級與支架正負極間各自焊接兩根φ1.0~φ1.
25mil的金線;
(3).熒光粉選擇:正裝小晶片一般驅動電流在20ma左右,而倒裝功率晶片一般在350ma左右,因此二者在使用過程中各自的發熱量相差甚大,而現在市場通用的熒光粉主要為yag, yag自身耐高溫為127°C左右,而晶片點亮後,結溫(tj)會遠遠高於此溫度,因此在散熱處理不好的情況下,熒光粉長時間老化衰減嚴重,因此在倒裝晶片封裝過程中建議使用耐高溫效能更好的矽酸鹽熒光粉;
(4).膠體的選擇:正裝小晶片發熱量較小,因此傳統的環氧樹脂就可以滿足封裝的需要;而倒裝功率晶片發熱量較大,需要採用矽膠來進行封裝;矽膠的選擇過程中為了匹配藍寶石襯底的折射率,建議選擇折射率較高的矽膠(>1.
51),防止折射率較低導致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內部被全反射而損失掉;同時,矽膠彈性較大,與環氧樹脂相比熱應力比環氧樹脂小很多,在使用過程中可以對晶片及金線起到良好的保護作用,有利於提高整個產品的可靠性;
(5).點膠:正裝小晶片的封裝通常採用傳統的點滿整個反射杯覆蓋晶片的方式來封裝,而倒裝功率晶片封裝過程中,由於多采用平頭支架,因此為了保證整個熒光粉塗敷的均勻性提高出光率而建議採用保型封裝(conformal-coating)的工藝;
(6).灌膠成型:正裝晶片通常採用在模粒中先灌滿環氧樹脂然後將支架插入高溫固化的方式;而倒裝功率晶片則需要採用從透鏡其中一個進氣孔中慢慢灌入矽膠的方式來填充,填充的過程中應提高操作避免烘烤後出現氣泡和裂紋、分層等現象影響成品率;
(7).散熱設計:正裝小晶片通常無額外的散熱設計;而倒裝功率晶片通常需要在支架下加散熱基板,特殊情況下在散熱基板後新增風扇等方式來散熱;在焊接支架到鋁基板的過程中 建議使用功率<30w的恆溫電烙鐵溫度低於230°C,停留時間<3s來焊接;
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